ایران پروژه ایران پایانامه

مقاله رفتار اکسیتون در چاه کوانتومی GaAs/Ga AlAs در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت در حد دو و سه بعدی در pdf دارای 5 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله رفتار اکسیتون در چاه کوانتومی GaAs/Ga AlAs در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت در حد دو و سه بعدی در pdf کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله رفتار اکسیتون در چاه کوانتومی GaAs/Ga AlAs در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت در حد دو و سه بعدی در pdf ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله رفتار اکسیتون در چاه کوانتومی GaAs/Ga AlAs در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت در حد دو و سه بعدی در pdf :

سال انتشار: 1387

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387

تعداد صفحات: 5

چکیده:

انرژی بستگی اکسیتون در چاه کوانتومی دوگانه جفت شده GaAs /GaAlAs در حضور میدان مغناطیسی یکنواخت که در جهت رشد لایه اعمال شده است را مطالعه کردیم. در تقریب جرم موثر و با استفاده از روش وردشی ، حالتهای اکسیتونی با تابع آزمایشی هیدروژن گونه 1S، در حد دو بعدی و سه بعدی بدست آورده شد و نشان دادیم که با افزایش میدان مغناطیسی، انرژی بستگی در تمام حدها مشابه تغییر در ابعاد ساختار افزایش می یابد. همچنین برای سدهای نازک و میدانهای قوی، تابع موج دو بعدی اکسیتون منجر به نتایج بهتری می شود، برای پهناهای بزرگ ساختار و میدانهای ضعیف نیز، حالتهای سه بعدی به نتایج دقیق تری منجر می شود.

کلمات کلیدی :